技術文章
光纖通信具有高速、大容量、長距離、低損耗、強抗干擾能力等特點，適合多種綜合數據業務，是未來寬帶網絡的發展方向。 我國的信息化建設正處于大發展時期，對光纖、光纜、高速光電器件及光傳輸設備的需求量很大，市場前景廣闊，國內已建的2.5 Gbit／s(STM-16)SDH骨干網已經不能滿足爆炸增長的信息需求，10 Gbit／s(STM-64)光傳輸系統成為我國近期產業化的重點。為了提高信道利用率，使多個信號沿同一信道傳輸而互相不干擾，高速復接器的設計對于高速光纖傳輸系統的實現至關重要。復接器的速度是影響整個光纖傳輸系統速度的一個關鍵因素。在10Gbit／s速率以上，復接電路涉及到一系列高速電路，在電路設計、測試、封裝等方面都有很大的挑戰性。 CMOS工藝具有價格便宜、集成度高、功耗低的特點。隨著CMOS工藝的發展，器件特征頻率大幅提高，采用CMOS工藝實現超高速集成電路成為可能。本文給出了使用CMOS工藝設計的單片集成超高速4：1復接器。 1 系統結構 復接器有串行、并行、和樹形3種基本結構。N：1串行結構復接器結構簡單，容易實現，但是工作在高速狀態的器件多，它的速度受到了限制。由于需要大電流來支持高速度，所以串行結構的電路功耗較大。N：1并行結構復接器需要N個不同相位的時鐘，N個相位準確的時鐘的產生難度高，對于N≥4的高階復接器，因為或門的扇入系數大，導致或門速度降低，所以工作速率的大幅度提高比較困難。 樹形結構復接器中工作在最高速率的電路只有最后一級2：1復接器和第1級分頻器，其他電路均工作在較低速狀態，所以功耗比較小。但電路規模在3種結構的電路中最大。樹形結構復接器的速度取決于
集成電路設計的流程一般先要進行軟硬件劃分，將設計基本分為兩部分：芯片硬件設計和軟件協同設計。芯片硬件設計包括：1.功能設計階段。設計人員產品的應用場合，設定一些諸如功能、操作速度、接口規格、環境溫度及消耗功率等規格，以做為將來電路設計時的依據。更可進一步規劃軟件模塊及硬件模塊該如何劃分，哪些功能該整合于SOC 內，哪些功能可以設計在電路板上。2.設計描述和行為級驗證供能設計完成后，可以依據功能將SOC 劃分為若干功能模塊，并決定實現這些功能將要使用的IP 核。此階段將接影響了SOC 內部的架構及各模塊間互動的訊號，及未來產品的可靠性。決定模塊之后，可以用VHDL 或Verilog 等硬件描述語言實現各模塊的設計。接著，利用VHDL 或Verilog 的電路仿真器，對設計進行功能驗證(functionsimulation，或行為驗證 behavioral simulation)。注意，這種功能仿真沒有考慮電路實際的延遲，但無法獲得精確的結果。3.邏輯綜合確定設計描述正確后，可以使用邏輯綜合工具(SYNTHESIZER)進行綜合。綜合過程中，需要選擇適當的邏輯器件庫(logic cell library)，作為合成邏輯電路時的參考依據。硬件語言設計描述文件的編寫風格是決定綜合工具執行效率的一個重要因素。事實上，綜合工具支持的HDL 語法均是有限的，一些過于抽象的語法只適于作為系統評估時的仿真模型，而不能被綜合工具接受邏輯綜合得到門級網表。4.門級驗證(Gate-Level Netlist Verification)門級功能驗證是寄存器傳輸級驗證。主要的工作是要確認經綜合后的電路是否
可以使用由三星電子生產的KA2107集成電路設計一個非常簡單的音調控制電子電路項目。這音調控制電子電路項目是很簡單的，需要很少的外部電子零件。正如你可以看到在KA2107音調控制電路項目是用于立體聲應用設計電路圖，它有一些額外的功能如音量控制和渠道之間的平衡控制。調整10K電位器(低音和顫抖)，您將修改的高與低的輸出信號的頻率。 這個電子電路項目，必須從一個簡單的12伏直流電源供電電路供電，但它工作正常，8伏或14伏直流電源電路也。
在本電路中的音頻系統是基于TDA2052單片集成電路Heptawatt包 。TDA2052 TDA2052可以使用音頻HI - FI音響系統，電視和其他音頻應用。能夠提供有4個或高功率8歐姆負載阻抗(寬電壓范圍的高輸出電流能力)。TDA2052 IC放大器的主要特點是：高輸出功率，AC短路保護，熱關閉掉電保護，ESD保護， Mute/Stand- 按功能。Tda2052可以單獨使用像原理波紋管或在多系統。音響系統使用三個TDA2052芯片和5個揚聲器(一個低音，兩個高音喇叭和兩個midranges)。 對于這個音響系統，我們需要的是雙20伏電源和5伏的立場供應功能。輸入的每個音頻IC 芯片是放在音頻過濾器，過濾用喇叭(低音，低通midranges和高音高通)的音頻信號，而其余的300赫茲到20KHz被發送到兩個獨立的重低音播放20到300赫茲的頻率范圍， 立體效果的渠道。如果一個放大器削波失真的影響他人放大器不會受到影響。
凌力爾特的LTM4627集成電路設計，可以設計一個很簡單的，高效率的15A開關模式DC / DC電源。 LTM4627電源電路包括在幾乎所有需要的組件的軟件包：開關控制器，功率FET，電感器和補償元件，這樣高的電源開關模式DC穩壓器IC需要幾個額外外部的電子元件。要求這種開關電源電路的輸入電壓范圍，4.5V至16V之間，將提供一個非常穩定的輸出電壓為1.2伏。LTM4627支持0.6V的輸出電壓范圍為5V，由一個外部電阻設置，所以你可以修改輸出電壓高開關頻率和電流模式架構能在不犧牲穩定的一個非常快的電壓和負載變化的瞬態響應。
一個很簡單的寬帶放大器電路可以使用MAR - 6迷你電路制造的集成電路設計。這MAR - 6的VHF - UHF寬頻帶放大器電路將提供至少9分貝穩定放大到2GHz，結合低噪聲系數(約3dB)。 在一個非常小的圓柱包約2mm，直徑和2mm高。90 °(其中有兩個是接地)，它裝有四個徑向引線，是基本上千方百計和低價值負載雙晶體管放大器來實現的需要寬的帶寬，并能夠推動共軸電纜 。因為MAR - 6是用來接收通過信號輸出引腳的權力，它非常適合作為刊頭放大器使用 。它需要約3.5V直流，工作電流在周圍16毫安 。 正如你可以看到刊頭放大器電路圖電子項目，需要很少的外部電子零件，因此，如果您將使用SMD元件，你就會有一個非常緊湊的設計。通電時，LED應煥發出令人放心，你應該能夠測量約6.8 - R1的7V直流接近IC2和C5。如果LED不發光，你沒有電壓讀數，有機會，你的有線與直流輸入極性反接。如果LED不發光，但有幾乎完整的插件包的電壓，你在R1 “ 已經幾乎肯定有線LED在向后。
基于TDA0161單片集成電路設計金屬機身檢測通過檢測高頻渦流損耗的變化，這些金屬探測器電路圖。對于探測金屬，TDA0161需要一個外部LC調諧電路。 輸出信號是由供電電流的變化。這個電流與電源電壓無關，是高還是低的存在或缺乏密切的金屬物體。本金屬探測器電路使用兩個LED，提供在金屬線圈的周圍，存在或不存在的視覺指示。要調整你需要的電路，以確保沒有金屬線圈附近，然后設置“中間位置”微調。之后，你需要調整課程的調整，打開LED，調整微調關閉LED。 這個探測器的電子電路工作在較大范圍內的4 -35伏的輸入電壓。如果您想要，您可以使用其他值CX電容和L1電感器(更改此值會影響振蕩頻率和檢測范圍)。
使用TDA7275A線性集成電路設計minidip塑料包，可以設計一個很簡單的速度調節器，可用于小型直流電動機調速的電子項目。 TDA7275A直流調速器項目擬作為電唱機為直流電動機的速度調節使用，磁帶和錄音機，這直流電機調速控制電路項目可以提供的最大輸出電流為1.5安培。電源電壓范圍是接受這個直流電動機的速度調節器項目8和18伏之間。V2是典型的電機“運行”(Acc.或打開下面的數據)和1個電機“停止”(根據以下數據或接地)伏1.5伏。
一個非常簡單的步進電機驅動電路設計，可以使用NJM3771步進電機驅動集成電路設計由新日本無線有限公司這步進電機驅動的電子項目是非常簡單的的設計和要求極少的外部元件。NJM3771集成電路 ，尤其是發展在微結合與匹配的雙通道DAC(數字-模擬轉換器)NJU39610的應用程序使用NJM3771包含時鐘振蕩器，這是常見的兩個驅動器通道;一套比較器和觸發器實現開關控制; 兩個H橋內部再循環二極管。 本步進電機驅動器項目支持范圍廣闊的輸入電壓：+5 V的邏輯和+10到+45 V供電電機。最大輸出電流是由該電路支持每通道約650毫安。NJM3771步進電機驅動器具有可選的慢速改善高轉速的微電流衰減 。參考輸入電壓和感應電阻RS值主要取決于電機繞組的輸出電流檢測電阻兩端的電壓反饋到比較通過一個低通濾波器部分，以防止錯誤切換由于開關瞬態(建議過濾器元件值，1千歐和820 pF的)，這驅動IC是雙極電機，即電機設計，只有每一個階段，但單極電機繞組，繞組中心抽頭，可以也可以使用。
使用TDA7275A線性集成電路設計minidip塑料包，可以設計一個很簡單的速度調節器，可用于小型直流電動機調速的電子項目。 TDA7275A直流調速器項目擬作為電唱機為直流電動機的速度調節使用，磁帶和錄音機，這直流電機調速控制電路項目可以提供的最大輸出電流為1.5安培。電源電壓范圍是接受這個直流電動機的速度調節器項目8和18伏之間。V2是典型的電機“運行”(Acc.或打開下面的數據)和1個電機“停止”(根據以下數據或接地)伏1.5伏。
在21世紀，微電子技術將從‘三吉’（G，即109）時代走向‘三太’（T，即l012）時代：信號發生和獲取由GHz到THz，信號處理和傳輸由吉位每秒到太位每秒，信號存儲和提取由吉位到太位。半導體技術的基礎，如器件設計、微細加工、多層金屬化互連線等，隨著體硅CMOS集成電路的特征尺寸縮小到納米尺度以后將面臨著許多新的挑戰：如納米級圖形的光學光刻極限、約2nm柵氧化層的物理極限，為了改善互連線的性能而需要采用銅等新材料和低介電常數的材料。工藝技術問題還有很多器件物理問題需要解決，主要是：電源電壓和閾值電壓縮小問題、短溝道效應、柵氧化層的可靠性、量子效應、雜質數起伏的影響以及互連線延遲、連線之間的串擾等問題。 集成電踣的工藝技術不斷推動集成電路CY7C4245-15JXCT設計方法學的變革，工藝技術的每一次變革都推動了集成電路設計技術的一次飛躍。到目前為止，集成電路的設計技術已經歷了五代。20世紀70年代到80年代之交，3～5μm工藝是集成電路的主體技術，第一代ICCAD技術是以版圖輸入、設計檢查為特點；80年代中期，集成電路進入1.5～3μm工藝階段，推動了以門陣列和標準單元為主的半定制設計方法的出現；80年代末，90年代初，0.6μmCMOSFP-GA和EPLD出現，推動了可編程設計方法的出現；90年代中期，0.35μm的深亞微米CMOS工藝推動了第四代設計技術的產生，即以CPU（或DSP）核為核心的集成系統設計方法；20世紀末，21世紀初，出現了片上系統(SystemonaChip，SoC)的設計方法。SoC是采用稱為Top-Down的設計方法，即從系統的頂層設計出發，把模型算法
0 引言 隨著數字技術的不斷發展，數字集成電路在各個領域的應用越來越廣泛。本文介紹一種用數字集成電路、霍爾集成電路設計的里程表。該里程表具有電路結構簡單、計量精度高、工作穩定可靠、改變設計量程方便、成本低等特點。我們曾將該里程表安裝于某電動車上測試，取得了滿意的效果。 1 工作原理 里程表的工作原理框圖如圖1所示。霍爾集成電路完成從非電量到電量的轉換，將車輪轉動信號轉換為電信號。此信號幅值較小，經過比較器使其變成幅值較大的脈沖信號。該脈沖信號由施密特觸發器整形后送給計數器計數。計數器輸出的8421BCD碼經譯碼器譯碼后驅動LED顯示器顯示出計量結果。根據該框圖設計的里程表電路如圖1所示。 2 主要單元電路的設計 2．1 霍爾集成電路傳感器 傳感器是里程表的重要部件，它的性能對整機電路的工作起著極其重要的作用。這里我們選用CS3120開關型霍爾集成電路。這種集成電路具有使用壽命長、無觸點磨損、無火花干擾、輸出電阻小、功耗低、靈敏度高、溫度特性好等特點。電路內部由霍爾元件、電壓調整器、差分放大器、輸出級等組成，采用塑料封裝成三端器件，其功能圖如圖2所示。 穩壓部分使電路能在較寬的電源電壓范圍內工作，開路輸出使電路很容易地與眾多的邏輯部件連接。圖3是這種開關型霍爾集成電路的轉移特性曲線。由圖3看出，當外加磁場強度B 上升到導通點BOP時，霍爾開關輸出由高電平降為低電平；當B由大變小降至BRP時，輸出再由低電平跳變為高電平。 實際應用時將霍爾傳感器做成如圖4所示的結構。鐵桿與磁鋼粘牢后固定于車輪的適當位置。霍爾集成電路固定在車架上，與磁鋼的垂直距離為2 mm～3 mm。這樣，車
0 引 言 光纖通信具有高速、大容量、長距離、低損耗、強抗干擾能力等特點，適合多種綜合數據業務，是未來寬帶網絡的發展方向。我國的信息化建設正處于大發展時期，對光纖、光纜、高速光電器件及光傳輸設備的需求量很大，市場前景廣闊，國內已建的2.5 Gbit／s(STM-16)SDH骨干網已經不能滿足爆炸增長的信息需求，10 Gbit／s(STM-64)光傳輸系統成為我國近期產業化的重點。為了提高信道利用率，使多個信號沿同一信道傳輸而互相不干擾，高速復接器的設計對于高速光纖傳輸系統的實現至關重要。復接器的速度是影響整個光纖傳輸系統速度的一個關鍵因素。在10Gbit／s速率以上，復接電路涉及到一系列高速電路，在電路設計、測試、封裝等方面都有很大的挑戰性。 CMOS工藝具有價格便宜、集成度高、功耗低的特點。隨著CMOS工藝的發展，器件特征頻率大幅提高，采用CMOS工藝實現超高速集成電路成為可能。本文給出了使用CMOS工藝設計的單片集成超高速4：1復接器。 1 系統結構 復接器有串行、并行、和樹形3種基本結構。N：1串行結構復接器結構簡單，容易實現，但是工作在高速狀態的器件多，它的速度受到了限制。由于需要大電流來支持高速度，所以串行結構的電路功耗較大。N：1并行結構復接器需要N個不同相位的時鐘，N個相位準確的時鐘的產生難度高，對于N≥4的高階復接器，因為或門的扇入系數大，導致或門速度降低，所以工作速率的大幅度提高比較困難。樹形結構復接器中工作在最高速率的電路只有最后一級2：1復接器和第1級分頻器，其他電路均工作在較低速狀態，所以功耗比較小。但電路規模在3種結構的電路中最大。樹形結構復接器的速度
前言隨著射頻和高速數字集成電路的快速發展，芯片面積越來越小，工作頻率和速度越來越高，集成電路的設計已發生了深刻的變化。在封裝設計領域，設計工程師們不僅要考慮封裝的散熱和工藝問題，還要能洞察封裝中的各種寄生的電磁效應，確保封裝在高速和高頻狀態下符合芯片的要求。同時，基于市場競爭的需要，還要避免過度設計，以最低的成本滿足技術指標的要求。在芯片設計領域，設計人員不僅要面對電路復雜程度和工作速度、頻率不斷提高以及尺寸不斷減小帶來的挑戰，同樣要應對隨之而來的電磁寄生效應對芯片性能的影響：一方面，在芯片內部電路的設計中，要仔細地處理高頻、高速電路中的耦合、匹配及信號完整性問題，另一方面，也必須能夠充分考慮封裝寄生效應的影響，以便在電路設計時做出必要的修正，確保整個集成電路正常工作。由此可見，在高速高頻集成電路設計中，對寄生電磁效應的處理是非常重要的，它已經成為縮短設計周期，降低設計和制造成本并最終決定設計成功與否的最關鍵因素。 電磁設計為了更好的處理高頻高速集成電路中的寄生電磁效應，就必須進行仔細的電磁設計，電磁設計主要包括以下內容：1．封裝及電路互聯系統結構設計，通過設計減少寄生效應。2．寄生效應的提取和建模，利用提取的模型改進系統或電路設計，使整個系統在有寄生效應情況下保持正常工作。3．電磁兼容設計，通過設計降低輻射，提高抗干擾性能。用傳統的設計手段進行電磁設計主要是以試驗和測試為主，需要建立測試原型，但是，隨著現代集成電路和封裝復雜程度的提高，建立測試原型有顯而易見的缺點：周期長，成本高，設計人員在設計周期的強大壓力下往往不能進行充分的試驗和測試，結果要么是很難達到設計指標，要么是被
在同步設計中，通常采用時間延時平衡的方法來保證復位信號到達各個觸發器的時間相同。這樣需要加很多的延時緩沖器，對芯片的面積、功耗和成本等關鍵指標帶來嚴重的影響，同時增加了大規模集成電路設計的復雜性。本文提出了一種適用于大規模集成電路設計的復位方法，該方法采用簡單電路設計，可以不用加入延時平衡緩沖器，大大降低了芯片設計的復雜度，同時降低芯片的面積、功耗和成本等。隨著集成電路設計技術的發展，單芯片電路的設計規模越來越大，設計復雜度也相應地越來越高。目前，在集成電路設計中，特別是以SoC(片上系統)芯片為代表的大規模集成電路設計中，通常都采用同步時序設計方法，即芯片內部的所有觸發器都工作于相同的時鐘信號，而且觸發器狀態的翻轉也都發生在同一時刻。 圖2：延時的復位信號時序圖。 同步時序設計方法要求芯片內部時鐘信號到達芯片內部各個觸發器的時間一致。實際上，由于時鐘信號到達各個觸發器所經歷路徑的不同，將會導致各個觸發器上時鐘信號的延時都不太一致。為了保證時鐘沿到達各個觸發器的時間相同，設計人員通常需要對時鐘經歷的各個路徑時進行補償，即進行時鐘樹的平衡。 同樣的，在芯片復位電路的設計中，復位信號的延時也將會對電路的數字邏輯產生影響。如圖1所示的電路，由于三個不同的電路模塊的復位信號輸
新聞資訊
現階段全球EUV光刻技術銷售市場的主導地位，已經緊緊掌握在一家西班牙企業阿斯麥手中。值得注意的是，在集成ic問世的整個過程中，極為關鍵的機械設備不僅擁有光刻技術，而且還擁有支撐8848億我國市場的重要專用工具EDA。近年來，國內芯片產業鏈的經營規模迅速擴大。根據最新數據，2020年中國集成電路芯片營業收入達到8848億元，年均增長率為20%，相當于當前世界產業鏈增長率的三倍以上。不難看出，中國已經成為世界上最大、最具發展潛力的AD693AD集成電路芯片銷售市場。但是中國集成電路芯片行業的技術實力并不高，很多高檔重要的機械設備長期依賴國外進口。例如EUV光刻技術。由于眾所周知的原因，越來越多的普通客戶開始關注這種芯片制造全過程中不可缺少的高檔機械設備。而且現階段全球EUV光刻技術銷售市場的主導地位，已經緊緊掌握在一家西班牙企業阿斯麥手中。但阿斯麥并非一家簡單的西班牙公司，背后擁有 過多的英國資產。值得注意的是，在集成ic問世的整個過程中，極為關鍵的機械設備不僅擁有光刻技術，而且還擁有支撐8848億我國市場的重要專用工具EDA。說白了，EDA是指ic設計階段，是一款極其重要的工業繪圖軟件，也是全球半導體材料的核心技術，整個產業鏈底層。材料表明，電子設備室內設計師根據EDA專用工具在電子控制系統設計過程中的許多工作非常方便高效。如果沒有EUV光刻技術，就沒有高精度加工工藝的圓晶；如果沒有EDA，就不在乎圓晶的精度。值得注意的是，EDA不僅可以 應用于ic設計階段，還可以廣泛應用于機械設備、電子設備、通信、航天甚至國防、微生物、醫藥等關鍵行業。不幸的是，在EDA專用工具上，我國的高寬比
隨著集成電路產業的不斷發展，ADG406BP芯片的產值也是連年飆升，而中國芯片的進口額也是水漲船高。根據中國海關數據顯示，2018年我國進口芯片數量為4175．7億件，同比增長10．8％，進口金額達到3120．58億美元，同比增長19．8％，這是中國芯片進口額首次突破3000億美元，位居中國進口類產品第一名。雖然中國芯片目前的市場份額不大，但是發展勢頭是很猛的，在2019中國芯應用創新高峰論壇上，深圳市半導體行業協會常軍鋒秘書長預測，2019年中國集成電路設計業銷售額將跨越3000億元大關，芯片設計企業達1780家，深圳設計產業繼續領銜全國，突破1000億大關，全球5000億美金的半導體市場，中國占有率還不足，但是國產芯片機遇與挑戰并存，現在在國家大基金和全球芯片產業轉移大形勢下，天時地利人和，中國芯產業正步入加速期。中國集成電路設計行業的發展現狀芯片領域是一個周期長而且投資大的產業，短時間內見不到效果，企業的發展也是受到市場環境影響巨大，發展芯片產業需要國家、企業和人才等共同的促進，這是急不來的。深圳半導體行業協會秘書長常軍鋒先生表示，目前芯片產業的貿易逆差是非常大的，2018年全球集成電路的產值是4779億，進口量預計2019年將超3000億，目前以深圳集成設計業為例，中國的高端芯片是很缺乏的，還有包括IP、EDA、材料、設備等都是缺失的領域，這是中國產業的現狀。在大的國際環境下，中美貿易戰所打擊的，正是中國缺乏核心技術的領域，這也反映出中國科技和美國科技的差距。其實，早在2000年，我國政府就開始對集成電路進行重點的布局，包括市場化運作，政策方面，2014年專項集成電路政
眾所周知，在集成電路設計中其中的一種重要的運行模式Fabless，它是Fabrication(制造)和less(無、沒有)的組合，是指“沒有制造業務、只專注于設計”BP5068A24的集成電路設計的一種運作模式，也用來指代未擁有芯片制造工廠的IC設計公司，經常被簡稱為“無晶圓廠”(晶圓是芯片\硅集成電路的基礎，無晶圓即代表無芯片制造);通常說的IC design house(IC設計公司)即為Fabless。本文首先詳解半導體芯片行業的三種運作模式，分別有IDM、Fabless和Foundry模式。其次介紹了半導體芯片及半導體芯片產業鏈重要環節，具體的跟隨小編一起來了解一下。半導體芯片行業的運作模式1、Fabless(無工廠芯片供應商)模式主要的特點如下：只負責芯片的電路設計與銷售;將生產、測試、封裝等環節外包。主要的優勢如下：資產較輕，初始投資規模小，創業難度相對較小;企業運行費用較低，轉型相對靈活。主要的劣勢如下：與IDM相比無法與工藝協同優化，因此難以完成指標嚴苛的設計;與Foundry相比需要承擔各種市場風險，一旦失誤可能萬劫不復。這類企業主要有：海思、聯發科(MTK)、博通(Broadcom)。2、IDM(Integrated Device Manufacture)模式主要的特點如下：集芯片設計、芯片制造、芯片封裝和測試等多個產業鏈環節于一身;早期多數集成電路企業采用的模式;目前僅有極少數企業能夠維持。主要的優勢如下：設計、制造等環節協同優化，有助于充分發掘技術潛力;能有條件率先實驗并推行新的半導體技術(如FinFet)。主要的劣勢如下：公司規模龐大，管理成本較高;運
導讀：昨天省委宣傳部舉行“壯麗70年·奮斗新時代”——湖北省慶祝新中國成立70周年系列新聞發布會第五場：武漢——產業之“芯”、區域之“心”、動能之“新”。會上，武漢市發改委表示，武漢圍繞“一芯兩帶三區”區域和產業發展布局打造產業新高地，集成電路設計產業增速居全國前三。集聚芯片企業100余家武漢已集聚芯片企業100余家，正在形成以存儲芯片、光電子芯片、紅外芯片、物聯網芯片為特色的國家級“芯”產業高地。研制出具有完全知識產權的紅外探測器芯片，紅外熱成像技術進入世界第一梯隊。武漢集成電路設計產業增速位居香港、杭州之后，為全國第三。武漢以信息光電子產業為主攻方向，以“芯”產業為引領，正在打造“芯屏端網”萬億產業集群。目前，武漢正在布局互聯網+、5G通信、網絡安全產品和服務等下一代信息網絡產業集群。五大產業基地吸引投資5000億元武漢緊盯新一輪科技革命和產業變革，以培育具有核心競爭力的主導產業為主攻方向，策劃布局了存儲器、商業航天、網絡安全人才與創新、新能源和智能網聯汽車4個國家級產業基地，今年又啟動了大健康產業基地建設，通過技術和產業的跨界融合發展，加快構建高新技術產業迭代發展的生態矩陣。據不完全統計，這五大基地吸引投資5000億元。武漢攻堅關鍵核心技術，強化科技創新，一批科技成果達到世界先進水平，神舟、蛟龍、天宮、天眼、北斗、大飛機、高鐵、“西電東送”、地球深部探測等國家重大戰略、重要工程和重大裝備都有武漢研發的身影。與省內城市共建20多個“園外園”圍繞區域之“心”，武漢開發區、東湖高新區、臨空港經濟開發區與周邊地區合作共建“園外園”20多個，大批武漢企業主動布局全省。武漢還構建了五
7月9日，中國國家知識產權局舉辦第三季度例行新聞發布會，集中發布專利、商標、地理標志、集成電路布圖設計的半年統計數據，以及這些數據體現出的中國知識產權事業發展趨勢和進展情況。數據顯示，2019年上半年，我國主要知識產權指標符合事業發展預期，知識產權綜合實力穩步提升。其中，集成電路布圖設計方面的數據尤為亮眼：2019年上半年，共收到集成電路布圖設計登記申請2904件，同比增長45.7%；發證2487件，同比增長52.0%。國家知識產權局戰略規劃司司長葛樹表示，集成電路對中國實現制造業升級與產業結構調整起著重要作用，近年來企業高度重視集成電路布圖設計的工作。這位司長說，國家知識產權局的集成電路布圖設計審批流程不斷優化，審查效率不斷提高，保證了集成電路布圖設計申請注冊及時完成，也為創新主體提供了更好的服務。報道稱，2019年上半年，中國主要知識產權指標符合事業發展預期。葛樹說，知識產權綜合實力穩步提升，這反過來也提升了國家的創新開放水平。
導讀：近日，上交所公布第三批上會企業名單，瀾起科技、杭可科技和天宜上佳3家公司將于6月13日接受科創板股票上市委員會的審核。作為第三批上會企業中唯一的集成電路設計企業，瀾起科技的主營業務是為云計算和人工智能領域提供以芯片為基礎的解決方案，目前主要產品包括內存接口芯片、津逮服務器CPU以及混合安全內存模組。根據此前的招股書顯示，瀾起科技已經成為全球可提供從DDR2到DDR4內存全緩沖/半緩沖完整解決方案的主要供應商之一。其發明的DDR4全緩沖“1+9”架構被采納為國際標準，相關產品已成功進入國際主流內存、服務器和云計算領域，占據全球市場的主要份額。據了解，瀾起科技內存接口芯片的下游客戶為三星電子、海力士、美光科技為代表的內存模組制造商。2018年，瀾起科技內存接口芯片業務銷售收入占比達到99.49%，是該公司的核心收入來源。值得注意的是，瀾起科技還擬公開發行不超過11,298.1389萬股A股普通股股票，使用募集資金23億元用于與公司主營業務相關的項目，包括新一代內存接口芯片研發及產業化項目，津逮服務器CPU及其平臺技術升級項目，以及人工智能芯片研發項目。從募投項目來看，未來瀾起科技不僅將進一步強化在DDR4上的技術優勢，還將推進新一代DDR5內存芯片接口的研發和產業化，同時全面布局用于云端數據中心的AI芯片。瀾起科技也在招股書中透露其未來發展戰略稱，未來三年，將通過持續不斷的研發創新，提升公司在細分行業的市場地位和影響力。例如在內存接口芯片業務領域，瀾起科技規劃在未來三年完成第一代DDR5內存接口芯片的研發和產業化；在數據中心業務領域，持續升級津逮服務器CPU及其平臺；在人工智
11月28日上午，上海集成電路設計產業園正式揭牌，上海市政府與紫光集團有限公司簽署戰略合作框架協議。紫光集團有限公司、上海韋爾半導體股份有限公司、北京兆易創新科技股份有限公司、阿里巴巴(中國)有限公司等企業和項目首批入駐園區。上海市委書記李強，上海市委副書記、市長應勇會見了紫光集團董事長趙偉國等相關企業負責人。李強對紫光集團等企業入駐上海集成電路設計產業園并簽署相關合作協議表示歡迎。他說，集成電路是上海重點聚焦的關鍵領域之一，產業鏈完整、企業集聚度高、各類人才集中，我們將厚植產業優勢，努力把集成電路打造成為“上海制造”的重要代表，更好服務國家戰略。紫光集團等都是集成電路設計領域的知名企業，與上海的發展戰略高度契合。我們歡迎集成電路等領域高科技企業投資上海、融入上海、深耕上海，共享機遇，共贏發展。我們將全力打造國際一流的營商環境，為各類企業在滬發展搭建更大舞臺、創造更好條件、提供更優服務。應勇為上海集成電路設計產業園揭牌并見證簽約，對紫光集團等企業入駐上海集成電路設計產業園表示祝賀。他說，上海集成電路產業鏈完整、產業集中度高、綜合技術能力強，我們將大力支持集成電路產業發展，著力優化營商環境，推動各類企業在滬更好發展。趙偉國和上海韋爾公司董事長虞仁榮、兆易創新公司董事長朱一明、阿里巴巴集團副總裁周明等感謝上海市委、市政府對企業發展的支持。他們表示，上海集成電路產業基礎堅實、人才集聚，發展前景十分廣闊，將進一步聚焦重點關鍵領域，加大創新研發投入，助力上海集成電路產業發展，更好服務國家戰略。上海市領導翁祖亮、諸葛宇杰、吳清參加相關活動。上海韋爾公司、兆易創新公司、阿里巴巴集團也分別與浦
據介紹，珠海高新區作為國家火炬計劃軟件產業基地、省軟件與集成電路戰略性新興產業基地，軟件和集成電路設計產業已成為該區“4+2”現代產業格局的重要組成部分。2015年，該區軟件和信息技術服務業實現主營業務收入357.39億元，同比增長27.26%。羊城晚報記者獲悉，珠海高新區將支持軟件和集成電路設計企業加強資質能力建設，對年銷售額超過500萬元的軟件和集成電路設計企業，首次獲得開發能力成熟度模型集成（CMMI）3級以上認證的，給予獎勵資金20萬元。對首次獲得國家系統集成資質三級以上的企業，給予獎勵資金10萬元。為有效降低集成電路企業新產品研發流片成本和風險，縮短產品的研制周期,提高產品的可靠性，珠海高新區對集成電路設計企業擁有的自主知識產權芯片產品，按首次流片費用的30％給予補貼，每個企業年度補貼金額最高不超過100萬元。珠海高新區還將對年銷售額超過5000萬元的集成電路設計企業，獨立購買EDA軟件的，按實際購買經費的10%給予補貼，每個企業年度補貼金額最高不超過100萬元。此外，為加強珠海高新區區軟件和集成電路設計類公共服務平臺能力，為區內企業提供高質、安全、便捷和低成本的技術服務，該區對獲得國家認可委員會認可實驗室資質的，給予30萬元資質認證補貼。珠海高新區表示，對申報材料不實、惡意騙取財政資金的企業，依法追回已獎補資金，其行為納入征信系統，列入企業信用記錄和信用報告。
近日，“2015年中國半導體市場年會暨第四屆中國集成電路產業創新大會”在合肥召開。大唐電信科技股份有限公司旗下大唐半導體設計有限公司榮獲由中國半導體行業協會授予的“2015年中國十大集成電路設計企業”殊榮。大唐電信總工程師、大唐半導體副總裁劉迪軍在論壇上作了《國產芯片技術與移動互聯網生態圈打造》的主題演講。據了解，作為國內領先的集成電路設計企業，大唐半導體積極推動芯片國產化進程，在智能終端芯片領域，28nmTD-LTE智能終端芯片已實現規模商用；在智能卡安全芯片領域，首家實現國內0.13umEEPROM工藝雙界面芯片商用，并為國家二代證卡、社保卡、金融卡等項目累計供貨十幾億只芯片；在汽車電子芯片領域，實現車燈調節控制芯片商用，并完成門驅動汽車芯片的研發設計。目前，大唐半導體通過業務整合，構建了統一業務平臺，統一公共研發平臺，統一市場營銷和供應鏈管理體系，初步形成“4BU+1”的發展模式，即終端芯片、安全芯片、汽車與工業電子、融合通信四大業務板塊加公共研發平臺，將集成電路設計產業做實做強，力爭3—5年實現收入規模增長，進入國家集成電路設計產業前列。
近日，中國半導體行業協會主辦的 “中國集成電路設計業2014年會暨中國內地與香港集成電路產業協作發展高峰論壇”在香港隆重召開。會議期間召開了中國半導體行業協會設計分會全體理事成員工作會議，議定“中國集成電路設計業2015年會”主辦城市，市科委會同濱海新區政府在會議上發表申辦主旨演講，經全體理事單位投票表決，我市成功獲得“中國集成電路設計業2015年會”主辦權。“中國集成電路設計業2015年會” 由中國半導體行業協會與國家核高基重大科技專項專家組主辦，是IC設計行業企業聚集度最高、影響力最大的全國峰會。該次年會將于2015年年末在津舉辦，為期2天，屆時將有來自全國各地政府、集成電路設計企事業單位及行業組織代表1400余人參加。此次香港會議發布了《中國集成電路設計業2014產業發展報告》，對全國681家半導體設計企業的統計顯示，2014年全行業銷售額有望達到982.5億元，約合159.76億美元，同比增長12.35%，占全球集成電路設計業的比重預計為18.8%，比2013年的16.73%提升了2.07%。天津市2014年集成電路設計產業產值穩步增長，達39.45億元，保持全國各省市排名前五位。2015年是“天津市促進集成電路產業發展三年行動計劃”的開局之年，市科委將會同濱海新區政府積極組織籌備好“中國集成電路設計業2015年會”，并借助承辦行業年度盛會之機，通過組織實施天津市集成電路設計重大科技專項等舉措，促進我市集成電路設計業的開放創新和國內外企業、人才與技術的引進。
各有關單位： 為貫徹落實《集成電路設計企業認定管理辦法》（工信部聯電子〔2013〕487號），規范北京市集成電路設計企業認定與年審工作，促進我市集成電路設計產業健康有序發展，我們制定了《北京市集成電路設計企業認定管理實施細則》，現予以發布，請遵照執行。 第一章 總則 第一條 為進一步規范和促進集成電路設計產業發展,落實國家優惠政策，加強對本市集成電路設計企業認定工作的管理, 依據《集成電路設計企業認定管理辦法》（工信部聯電子〔2013〕487號），結合本市實際情況，制定本細則。 第二條 本細則所稱集成電路設計企業，是指在本市行政區域內依法設立的從事集成電路功能研發、設計及相關服務，并符合財稅〔2012〕27號文件有關規定的企業。 第三條 北京市經濟和信息化委員會（以下簡稱“市經濟信息化委”）負責在本市設立的集成電路設計企業認定或年審的受理，以及申報材料的真實性審核工作。 第四條 市經濟信息化委委托中介專業機構承擔本市集成電路設計企業申請認定和年審的具體工作，包括材料初審、組織專家評審、證書發放等。北京半導體行業協會組織開展相關政策的宣傳、輔導、咨詢工作，開展政策實施情況評估和誠信體系建設等工作。 第五條 市經濟信息化委、市發展改革委、市財政局、市國稅局、市地稅局建立會商機制，協調解決本細則實施過程中遇到的問題。 第六條 按照《中華人民共和國政府信息公開條例》有關規定,市經濟信息化委對集成電路設計企業認定和年審的法律依據、流程和認定結果等相關信息進行公開，并與相關部門共享。 第二章 認定條件和程序 第七條 申請認定的集成電路設計企業須符合下列條件： （一）在本市行政區域內注冊成立
近日，《濱海新區加快發展集成電路設計產業的意見》和《天津市濱海新區集成電路產業集群化發展戰略規劃》經審議通過，即日起實施。據了解，今后濱海新區每年將投入2億元專項資金，從鼓勵落戶、人才培育、平臺支撐、金融扶持等八大方面，將新區集成電路產業打造成為國家重要的集成電路設計產業引領示范區。預計到2020年，新區集成電路設計產業集群發展格局將基本形成，屆時，集成電路設計企業將近百家，年銷售收入可達200億元。
深圳自2009年發力戰略性新興產業以來成效卓著。從深圳集成電路設計產業化基地獲悉，在信息化高端領域——集成電路設計行業（即IC設計行業），深圳成功躋身全國前三，IC設計企業銷售額約占全國兩成，在全國十大IC設計企業中，深圳海思、國民技術的排名高居前五位。 來自深圳IC基地的統計顯示，深圳IC設計企業數量約為140家，約占全國的1/4，與之對應的是，深圳IC設計業銷售額也占全國份額的1/4強。2005年，海思與AM25S374PC中興微電子分別從華為和中興通訊獨立出來后，深圳出現了上億元的IC設計企業。此后，深圳步入億元門檻的IC設計企業進一步增加，銷售額提高到5000萬以上的企業數量也逐漸增多。 深圳IC設計產業自2003年步入高速發展期，當時IC設計產業銷售額僅為6億，現在該項數據高達135億，躋身全國前三，年平均增幅約在48％左右。并在2010年首次突破百億大關。 IC設計行業的技術門檻非常高，其話語權一直被歐美等發達國家所把持。不過，深圳IC設計企業在技術上也有突破，設計能力追趕歐美領先水平。據深圳IC基地有關負責人介紹，從主流產品特征線寬分布看，深圳量產的芯片主要采用大于0.13μm工藝，使用等于和小于0.13μm工藝的企業占四成，總體的設計能力增強。在數字芯片中，中興微電子、芯邦科技、華芯飛、力合微電子和安凱的設計能力已經達到90nm和65nm的工藝水平，而海思已經開始40nm甚至更低工藝節點的設計，代表著深圳的高端設計水平。 不僅如此，深圳IC設計產業結構也趨向合理，IC設計從通信和消費走向多元化。專家稱，伴隨著深圳電子信息產業的升級換代，深圳IC設計的產品線也從早
國內集成電路產業規模與終端產品制造業不相適應。中國是全球最大的電子制造產業基地，但中國集成電路芯片80％依靠進口，盡管中國集成電路產業在全球的份額也在不斷增長，但其比例仍然遠遠落后于終端產品。 在與國際半導體巨頭的同臺競爭中，本土集成電路設計企業較好地貼近了國內高度分散的市場，提供針對性的定制化服務，使中國集成電路設計業在全球半導體市場增長MAX708SESA放緩的大背景下實現了持續快速發展。 2011年中國集成電路產業促進大會日前在山東濟南召開。工業和信息化部軟件與集成電路促進中心在會上發布的報告認為，在全球經濟不景氣的情況下，我國本土集成電路企業卻得到了不錯的增長態勢。該中心預計，今年我國集成電路設計業銷售額將達到686.81億元，占全球比重上升至13.89%。 該中心抽樣調查了全國42家重點集成電路設計企業，結果顯示，2011年絕大部分企業的集成電路設計銷售額實現了增長，平均增長率達40.88%，其中有6家企業的銷售額實現翻番。
近日，中國半導體行業協會集成電路設計分會會員大會與“2011ICCAD”同期召開，在此次會議上，燦芯半導體（上海）有限公司（以下簡稱“燦芯半導體”）入選為中國半導體行業協會集成電路設計分會理事。 燦芯半導體總裁兼CEO職春星博士說：“燦芯MAX749半導體自成立以來，一直在不斷地成長壯大，從0.18um芯片設計服務開始，目前已經成功tapeout了40nm芯片。我們很高興入選為集成電路設計分會的理事，感謝各位代表及協會對我們的肯定！同時，我們也希望能夠通過自己的力量，為中國半導體行業做一些實事。” 燦芯半導體銷售與市場副總裁徐滔先生說：“參加此次盛會感觸頗深，中國半導體的發展非常迅速，每年都有新的變化，每年都會推陳出新，半導體產業鏈上下游之間通力合作，為半導體的發展推波助瀾。燦芯半導體成立于2008年7月，通過三年的努力，贏得了大家的認可，這使我們信心倍增。能入選集成電路設計分會的理事，是我們的榮幸，也是行業對我們成績的肯定。希望我們的服務能夠得到更多客戶的認可和肯定！”
會員資訊
一、產品描述v24a15m400bg2是一款高性能電力管理芯片，具有廣泛的應用領域。采用先進的技術結構和設計原理，具備穩定可靠的工作特點。該芯片具有多種型號分類和豐富的參數規格，方便用戶選擇適合自己需求的產品。擁有簡單易用的引腳封裝，使其在市場上具備很高的競爭力。本文將對v24a15m400bg2的技術結構、設計特點、工作原理、芯片類型、參數規格、引腳封裝、市場應用以及發展趨勢進行詳細分析。二、技術結構采用先進的封裝技術和集成電路設計，具有緊湊的結構和高度集成的特點。它由多個功能模塊組成，包括電壓調節模塊、電流控制模塊、溫度監測模塊等。這些模塊相互協作，實現對電力的精確管理和控制。三、設計特點1、高效能：該芯片采用高效能的設計方案，能夠實現更高的效率和更低的功耗。2、穩定性：采用先進的穩定性設計，能夠在各種工作條件下保持穩定的電力輸出。3、可編程性：具備可編程功能，用戶可以根據實際需求進行自定義設置。4、多保護功能：擁有多種保護功能，如過壓保護、過流保護、過溫保護等，能夠有效保護設備和電路的安全。四、工作原理基于先進的電力管理技術。通過對輸入電壓和輸出電流的監測和控制，實現對電力的精確調節。同時，該芯片還具備多種保護機制，能夠在異常情況下及時切斷電力輸出，保護設備和電路的安全。五、芯片類型屬于電力管理芯片的一種，它專門用于電力管理和控制領域。該芯片采用了先進的集成電路設計和制造工藝，具備高度的可靠性和穩定性。六、參數規格1、輸入電壓范圍：12v-24v2、輸出電壓范圍：0v-15v3、輸出電流范圍：0a-4a4、工作溫度范圍：-40℃-85℃5、封裝類型：bga封裝七、引腳封裝