BSS83PH6327XTSA1 晶體管 MOSFET
發布日期:2024-01-09類別:會員資訊
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制造商: | Infineon |
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產品種類: | MOSFET |
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RoHS: | 詳細信息 |
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技術: | Si |
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安裝風格: | SMD/SMT |
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封裝 / 箱體: | SOT-23-3 |
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晶體管極性: | P-Channel |
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通道數量: | 1 Channel |
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Vds-漏源極擊穿電壓: | 60 V |
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Id-連續漏極電流: | 330 mA |
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Rds On-漏源導通電阻: | 1.4 Ohms |
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Vgs - 柵極-源極電壓: | - 20 V, + 20 V |
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Vgs th-柵源極閾值電壓: | 2 V |
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Qg-柵極電荷: | 2.38 nC |
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最小工作溫度: | - 55 C |
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最大工作溫度: | + 150 C |
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Pd-功率耗散: | 360 mW |
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通道模式: | Enhancement |
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資格: | AEC-Q101 |
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封裝: | Reel |
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封裝: | Cut Tape |
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封裝: | MouseReel |
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商標: | Infineon Technologies |
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配置: | Single |
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下降時間: | 61 ns |
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正向跨導 - 最小值: | 0.24 S |
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高度: | 1.1 mm |
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長度: | 2.9 mm |
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產品類型: | MOSFET |
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上升時間: | 71 ns |
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工廠包裝數量: | 3000 |
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子類別: | MOSFETs |
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晶體管類型: | 1 P-Channel |
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典型關閉延遲時間: | 56 ns |
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典型接通延遲時間: | 23 ns |
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寬度: | 1.3 mm |
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零件號別名: | BSS83P H6327 SP000702486 |
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單位重量: | 8 mg |
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